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J-GLOBAL ID：200903055489632300

磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム

Inventor：
林 一彦

About 林 一彦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997123797
Publication number (International publication number)：1998313138
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子として、並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システムとして、出力値、出力波形、及びピットエラーレートにおいて良好な特性を得るとともに、熱的な信頼性においても良好な特性を得る。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、基体100上に、下地層101、NiFe層102、非磁性層104、固定磁性層106、反強磁性層107及び保護層108が順次形成されたものである。そして、保護層108は、2nm以上かつ7nm以下の膜厚の金属からなる。保護層の金属は、例えば、Ti,V,Cr,Co,Cu,Zn,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt又はAuである。
Claim (excerpt)：
磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層され、更にこれらの上に保護層を有する磁気抵抗効果素子において、前記保護層は、2nm以上かつ7nm以下の膜厚の金属からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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