プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995304061
Publication number (International publication number)：1997148097
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】大口径の半導体ウエハ表面に均一なプラズマ処理を行う。【解決手段】電磁波発生源1で発生した電磁波を第2の電磁波伝送部4を介して誘電体窓6に入射する。その後、電磁波を誘電体窓6で拡散させ、誘電体窓6の下部に設けた電磁波反射板7と補助反射板17間に形成されたリング状電磁波放射部8から容器16の内部に導く。電磁波は、容器16内部にガス供給系34から導入した処理ガスと作用して均一なプラズマを容器16上部に生成する。このプラズマを容器16内部に配置した大口径ウエハからなる試料12に照射することによりウエハ面上に均一なプラズマ処理を行なう。

Claim (excerpt)：

電磁波発生源と、この電磁波発生源で発生した電磁波により生じたプラズマを保持する放電室を区画する放電室容器と、該電磁波発生源と放電室容器間に設けられた電磁波伝送部とを備えたプラズマ生成装置において、前記電磁波伝送部と前記放電室間を隔離する誘電体窓を前記電磁波伝送部に設け、この誘電体窓の放電室側に電磁波反射板を設けたことを特徴とするプラズマ生成装置。

IPC (8)：

H05H 1/46 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01P 1/08

FI (8)：

H05H 1/46 C , B01J 19/08 E , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01P 1/08 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭63-103088
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120074 Applicant：日電アネルバ株式会社
特開平3-094422

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