薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007050
Publication number (International publication number)：2000208773
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Al等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】 Al及びCuより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層2を、Ti、Mo、W、Cr、Al及びCuより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層1と、Ti、Mo、W、Cr、Al及びCuより選ばれた金属又は又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層3とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層1と上層配線層3とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層1、3で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に少なくともゲート電極及びこれに接続された走査線、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極及びこれに接続された信号線を配した薄膜トランジスタであって、(1)ゲート電極及び/又は走査線と、(2)ソース・ドレイン電極及び/又は信号線のうち少なくとも一方は、Al及びCuより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ti、Mo、W、Cr、Al及びCuより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、Ti、Mo、W、Cr、Al及びCuより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層構造を含み、且つ、この積層構造の下層配線層と上層配線層で用いられる金属又は合金が異なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 29/78 616 U , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 M , H01L 29/78 617 L

F-Term (60)：

2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA34 , 2H092HA06 , 2H092HA16 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KA05 , 2H092MA05 , 2H092MA12 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033KK05 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033PP15 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033UU05 , 5F033VV15 , 5F110AA26 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電子回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-023289 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
接続孔の形成工程を有する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034296 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (2)

電子回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-023289 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
接続孔の形成工程を有する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034296 Applicant：ソニー株式会社

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