窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999191452
Publication number (International publication number)：2001024222
Application date： Jul. 06, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】光透過性電極を形成した面を主光取り出し面側とし、発光効率を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にそれぞれ窒化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層2とn型コンタクト層3と発光層4とp型クラッド層5とp型コンタクト層6とが順に積層され、さらにp型コンタクト層6上に光透過性電極7が形成され、光透過性電極7上にはp側電極8が、n型コンタクト層3上にはn側電極9がそれぞれ形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に対し、p型コンタクト層6に光透過性電極7側から窪む凹部11を複数個形成することにより、発光層4から発せられ、発光素子内部を横方向に伝播する光が凹部11より発光素子外部へ取り出されやすくなり、全体として発光効率が改善される。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる第一導電型コンタクト層と発光層と第二導電型コンタクト層とが積層され、さらに前記第二導電型コンタクト層上に光透過性電極が形成される窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記第二導電型コンタクト層に前記光透過性電極側から窪む凹部が複数個形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

F-Term (16)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041DA07 , 5F041DA44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭50-105286
特公昭51-018788
特開平3-129882

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