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J-GLOBAL ID:200903035749778109
微細構造体の製造方法、微細構造体、及びこれを形成するための基板
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000099968
Publication number (International publication number):2001288578
Application date: Mar. 31, 2000
Publication date: Oct. 19, 2001
Summary:
【要約】【目的】 レジストやバンクに基づかない薄膜の形成であり、インクジェット吐出技術と組み合わせた新規な薄膜パターニング技術を提供する。【解決手段】 基板表面11に有機分子膜パターンを形成し、有機分子膜パターンに対して、インク吐出法により薄膜を形成するための溶液を供給し有機分子膜パターン基づいて金属薄膜パターン(12,13a,13b)を得る。
Claim (excerpt):
基板表面に有機分子膜パターンを形成し、該有機分子膜パターンに対して、インク吐出法により薄膜を形成するための溶液を供給し該有機分子膜パターン基づいて薄膜パターンを得る微細構造体の製造方法。
IPC (4):
C23C 18/18
, B41J 2/01
, C23C 18/31
, G02F 1/1335 505
FI (4):
C23C 18/18
, C23C 18/31 A
, G02F 1/1335 505
, B41J 3/04 101 Z
F-Term (29):
2C056EA24
, 2C056EC07
, 2C056EC28
, 2C056FB01
, 2C056FB05
, 2C056FD20
, 2H091FA03Y
, 2H091FA35Y
, 2H091FB02
, 2H091FB08
, 2H091FC01
, 2H091FC10
, 2H091FC27
, 2H091GA02
, 2H091LA15
, 4K022AA02
, 4K022AA03
, 4K022AA05
, 4K022AA13
, 4K022AA41
, 4K022BA03
, 4K022BA14
, 4K022BA35
, 4K022CA07
, 4K022CA08
, 4K022CA25
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
-
特開昭60-039165
-
特開平1-165776
-
パターン形成方法および基板製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-008016
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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