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J-GLOBAL ID：200903035816885012

配線構造、導電パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
栗田 洋一郎

About 栗田 洋一郎


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000104342
Publication number (International publication number)：2001291721
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 大掛かりな製造装置を必要とせずかつフォトリソグラフィ法を使用せずに所望の配線パターンを形成できる製造方法を提供する。【解決手段】 基板14上に、絶縁体12内に不連続に導電粒子11を含んでなる導電粒子含有絶縁膜13を形成する(a)。導電パターン形成領域にレーザ光照射を行うことにより、導電粒子含有絶縁膜13の表面に導電粒子11を露出させる(b)。導電粒子11を成長核として無電解メッキ法により選択的に金属を成長させて導電パターン16を形成する(c)。
Claim (excerpt)：
基体上に、導電粒子を不連続に保持し表面の一部に前記導電粒子を露出させている導電粒子含有絶縁膜が形成され、前記導電粒子含有絶縁膜上の前記導電粒子が露出されている領域上に導電パターンが形成されていることを特徴とする配線構造。
IPC (5)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (6)：
H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 M ,  H01L 23/12 L
F-Term (38)：
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104DD62 ,  4M104EE18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033MM01 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR26 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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