高周波半導体素子用パッケージ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996077844
Publication number (International publication number)：1997270474
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】キャビティを形成する壁体の厚みを小さくすることなく、壁体を貫通する伝送線路の壁体内での共振が発生せずに損失が小さく、かつ量産性に優れた高周波半導体素子用パッケ-ジを提供する。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基体1と、絶縁基体1と一体的に形成され高周波半導体素子4が収納されるキャビティ6を形成するための壁体2と、キャビティ6内に収納される高周波半導体素子4の電極と絶縁基体1に形成された外部端子7とを電気的に接続するために絶縁基体1表面にキャビティ6内から壁体2を貫通して形成された高周波伝送線路3と、この壁体2上にキャビティ内を気密封止するための蓋体5とを備えた高周波用半導体素子用パッケ-ジにおいて、前記高周波伝送線路を、Ag、CuおよびAuのうちの少なくとも1種により形成し、且つ壁体2を誘電率が7以下の誘電体材料によって形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体材料からなる絶縁基体と、前記絶縁基体と一体的に形成され高周波半導体素子が収納されるキャビティを形成するための壁体と、前記キャビティ内に収納される高周波半導体素子の電極と前記絶縁基体に形成された外部端子とを電気的に接続するために前記絶縁基体表面に前記キャビティ内から前記壁体を貫通して形成された高周波伝送線路と、前記壁体上に前記キャビティ内を気密封止するための蓋体とを備えた高周波用半導体素子用パッケ-ジにおいて、前記高周波伝送線路を、Ag、CuおよびAuのうちの少なくとも1種により形成し、且つ前記壁体を誘電率が7以下の誘電体材料によって形成したことを特徴とする高周波半導体素子用パッケ-ジ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-176701 Applicant：三菱電機株式会社
極超短波帯用パッケージ入出力部の構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344550 Applicant：富士通株式会社
セラミックパッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-260313 Applicant：株式会社東芝

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