CVD装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999157692
Publication number (International publication number)：2000345349
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】大面積基板にCVDによりシラン等を用いてシリコン酸化膜等を成膜する場合、パーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止する。【解決手段】真空容器12内でプラズマを生成してラジカルを発生させ、このラジカルとシラン等で基板に成膜処理を行うCVD装置である。真空容器内にその内部をプラズマ生成空間15と成膜処理空間16の二室に隔離する隔壁部14が設けられる。隔壁部には複数の貫通孔25と拡散孔26が形成されている。内部空間24にはシラン等が供給され、シラン等は拡散孔を通して成膜処理空間に導入される。プラズマ生成空間で生成されたラジカルは、貫通孔を通して成膜処理空間に導入される。貫通孔は、孔内でのガス流速をu、実質的な孔の長さをL、相互ガス拡散係数をDとするとき、uL/D>1の条件を満たす。

Claim (excerpt)：

真空容器内でプラズマを生成して活性種を発生させ、この活性種と材料ガスで基板に成膜を行うCVD装置において、前記真空容器の内部を二室に隔離する導電性隔壁部を前記真空容器内に設け、前記二室のうち、一方の室の内部は高周波電極が配置されたプラズマ生成空間として形成され、他方の室の内部は前記基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜処理空間として形成され、さらに前記隔壁部には前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間を通じさせる複数の貫通孔が形成され、前記貫通孔は、孔内でのガス流速をu、実質的な孔の長さをL、相互ガス拡散係数をDとするとき、uL/D>1の条件を満たし、前記隔壁部は、さらに、前記プラズマ生成空間から隔離されかつ前記成膜処理空間と複数の拡散孔を介して通じている内部空間を有し、この内部空間には外部から前記材料ガスが供給され、前記内部空間に供給された前記材料ガスは複数の前記拡散孔を通して前記成膜処理空間に導入され、前記高周波電極に高周波電力を与えて前記プラズマ生成空間でプラズマ放電を発生させることにより前記プラズマ生成空間で生成された前記活性種は、前記隔壁部に形成された複数の前記貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入されることを特徴とするCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 , G02F 1/1333 505 , H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/50 B , C23C 16/44 D , G02F 1/1333 505 , H01L 21/205

F-Term (37)：

2H090HB03X , 2H090HC03 , 2H090HC18 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030DA06 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030JA01 , 4K030JA12 , 4K030KA08 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AA16 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB15 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EB05 , 5F045EE20 , 5F045EF14 , 5F045EH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071213 Applicant：日新電機株式会社
CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-023887 Applicant：アネルバ株式会社

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