半導体レーザの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338194
Publication number (International publication number)：1997153657
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】InP基板上に半導体レーザの活性層を含む半導体層を結晶成長により形成し、しかる後にドライエッチングにより活性層を含むストライプを形成するレーザの製造方法において、ドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、かつその後の再結晶成長時に障害となるような段差を活性層とクラッド層の間に生じさせない方法の提供。【解決手段】InP基板11上に半導体レーザ(以下単にレーザ)の活性層13を含む半導体層を結晶成長により形成した後にドライエッチングによって活性層13を含むストライプ11を形成し、硫酸をエッチャントとして用いたエッチングによってドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、ストライプの両側に半導体層を形成するための再結晶成長を行なう。

Claim (excerpt)：

(a)InP基板上に半導体レーザの活性層を含む半導体層を結晶成長により形成した後にドライエッチングにより前記活性層を含むストライプを形成する工程と、(b)硫酸の水溶液をエッチャントとして用いるエッチングによって前記ドライエッチング時に生じた損傷層を除去する工程と、(c)前記ストライプの両側に半導体層を形成するための再成長を行なう工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-067326 Applicant：沖電気工業株式会社
量子細線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-077810 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-311824 Applicant：松下電器産業株式会社

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