窒化物系半導体レーザ素子の製造方法および窒化物系半導体レーザ素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001373599
Publication number (International publication number)：2003174228
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】歩留まりを向上させることが可能で、かつ、良好な素子特性を有する窒化物系半導体レーザ素子を得ることが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、n型AlGaNクラッド層5、MQW活性層7およびp型AlGaNクラッド層11を含む窒化物系半導体素子層を形成する工程と、素子形成領域(凸部)30以外の領域に、少なくともp型AlGaNクラッド層11およびMQW活性層7が除去された凹部23を形成するとともに、共振器端面に対して垂直な方向(ストライプ方向)において異なる幅を有する素子形成領域(凸部)30を形成する工程と、素子形成領域(凸部)30に、ストライプ状のリッジ部15を形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層を順次形成する工程と、素子形成領域以外の領域に、少なくとも前記第2クラッド層および前記活性層が除去された凹部を形成するとともに、前記素子形成領域に、共振器端面に対して垂直な方向において異なる幅を有する凸部を形成する工程と、前記素子形成領域に、ストライプ状のリッジ部を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/10 , H01S 5/22 610 , H01S 5/343 610

FI (3)：

H01S 5/10 , H01S 5/22 610 , H01S 5/343 610

F-Term (6)：

5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AA81 , 5F073CA07 , 5F073DA32 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

吸収式冷凍機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016523 Applicant：三洋電機株式会社
レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-352014 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222495 Applicant：日本電信電話株式会社

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