レーザ素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000352014
Publication number (International publication number)：2001210913
Application date： Nov. 17, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】従来の窒化物半導体を用いたレーザ素子の製造では、異種基板上に窒化物半導体を成長させてレーザ素子構造を形成することから、共振器反射面に劈開面でウエハを割ることが困難で、エッチング端面を用いたものがほとんどであった。【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなると共に、第1の主面と第2の主面とを有する異種基板の第1の主面上に活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とで挟み込むレーザ素子構造を形成する積層工程と、前記第1の主面一部を露出させるエッチング工程と、異種基板を分割することにより窒化ガリウムの劈開面にほぼ一致する共振器反射面を形成する基板分割工程と、を具備してなる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなると共に、第1の主面と第2の主面とを有する異種基板の第1の主面上に半導体層として、窒化ガリウムからなる下地層と、該下地層の上に、活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とで挟み込むレーザ素子構造と、を形成する積層工程と、該積層工程の後、該半導体層の一部をエッチングにより除去して、前記第1の主面を露出させるエッチング工程と、エッチング工程の後、異種基板を分割することにより該エッチング工程により露出した半導体層側面とは異なる位置に、共振器反射面を形成する基板分割工程と、を具備してなることを特徴とするレーザ素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-056046 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-333884 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-232349 Applicant：日亜化学工業株式会社

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