強誘電体薄膜および強誘電体半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310426
Publication number (International publication number)：1994162857
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】リークが少なくて、優れた絶縁性を有する強誘電体薄膜を提供することを目的とする。【構成】 PZTの薄膜にビスマスが熱拡散、スパッタリング、またはイオンインプランテーションにより添加されているため、PZT薄膜のリークが減少し、優れた絶縁性を示す。ビスマス添加PZT薄膜を用いた強誘電体メモリでは、確実に電荷が保持されるため装置の信頼性が高く、しかも低い消費電力で作動する。

Claim (excerpt)：

トリウム、アンチモン、タンタル、ビスマス、タングステン、亜鉛、ニオブの一または二以上の物質を添加したことを特徴とするペロブスカイト形強誘電体薄膜。

IPC (7)：

H01B 17/62 , H01B 3/00 , H01G 4/06 102 , H01G 4/12 391 , H01L 27/04 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜容量素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-257824 Applicant：株式会社東芝
強誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-001444 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭58-194206

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