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J-GLOBAL ID：200903035962892608

アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ

Inventor： 小林 武史 ,  星 亮二
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002277216
Publication number (International publication number)：2004119446
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、DNN欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びDNN欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。【解決手段】シリコンウエーハに熱処理を行うことによってアニールウエーハを製造する方法であって、該熱処理を行う前に該シリコンウエーハ表面の酸素析出物を溶解させるようにした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハに熱処理を行うことによってアニールウエーハを製造する方法であって、該熱処理を行う前に該シリコンウエーハ表面の酸素析出物を溶解させることを特徴とするアニールウエーハの製造方法。

IPC (1)：

H01L21/324

FI (1)：

H01L21/324 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-201264   Applicant：住友金属工業株式会社
• 半導体基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-271905   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-025468   Applicant：三菱住友シリコン株式会社
• シリコンウェーハの表面近傍に存在する八面体状酸素析出物の推定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253632   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社