Pat

J-GLOBAL ID：200903099817263196

シリコンウェーハの熱処理方法

Inventor： 遠藤 昭彦 ,  草場 辰己 ,  本山 民雄 ,  白川 義徳 ,  池田 直紀
Applicant, Patent owner： 三菱住友シリコン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001025468
Publication number (International publication number)：2002231726
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ウェーハとの接触等によるスリップ、パーティクルの発生、並びにそれに伴うウェーハの欠陥発生を防止して、水素又はアルゴン雰囲気中で高温熱処理することが可能なシリコンウェーハの熱処理方法。【解決手段】 シリコンを基材とした熱処理用ボート表面に所要厚みのSiO2膜を設けることにより、比較的柔らかいSiO2膜が緩衝材の機能を果たしてスリップを抑制でき、このボートをウェーハ表面近傍の結晶欠陥を低減することが可能な水素またはアルゴン雰囲気中での高温熱処理に適用することでデバイス特性の優れたウェーハを提供できる。

Claim (excerpt)：

単結晶又は多結晶シリコンを基材とし、少なくともシリコンウェーハと接触予定表面に酸化膜を形成させた熱処理用ボートを用い、これに載置したシリコンウェーハを水素又はアルゴンあるいはその混合雰囲気で1050°C以上の温度領域に30min以上保持するシリコンウェーハの熱処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 熱処理炉ボート
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-158324   Applicant：株式会社東芝
• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-229766   Applicant：東芝セラミックス株式会社