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J-GLOBAL ID:200903036057950463
ダイヤモンド紫外線発光素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002153802
Publication number (International publication number):2003347580
Application date: May. 28, 2002
Publication date: Dec. 05, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 FE発光のピーク強度がband-A発光ピーク強度よりも高い電流注入励起紫外線発光素子を、高品質の高圧合成単結晶ダイヤモンドと気相合成単結晶ダイヤモンドを用いて提供する。【解決手段】 高温高圧法によって得たホウ素を添加した高品質高圧合成ダイヤモンドp型結晶からなる高品質基板10と、高品質基板表面に気相合成によってエピタキシャル成長させたホウ素添加p型ダイヤモンドによる中間層20と、中間層20上に気相合成によってエピタキシャル成長させた硫黄添加n型ダイヤモンドによる最上層30と、高品質基板10および最上層30の表面にチタンを成膜して設けた密着層41A,41Kおよび密着層41の上に設けた金層42A,42Kとからなる電極40A,40Kとを備えたダイヤモンド紫外線発光素子1。
Claim (excerpt):
自由励起子再結合による発光(以下、FE発光と呼ぶ)のピーク強度が欠陥起因の発光(以下、band-A発光と呼ぶ)のピーク強度よりも高いことを特徴とする、電流注入により発光するダイヤモンド紫外線発光素子。
IPC (3):
H01L 33/00
, C30B 29/04
, H01L 21/205
FI (5):
H01L 33/00 A
, C30B 29/04 P
, C30B 29/04 Q
, C30B 29/04 X
, H01L 21/205
F-Term (36):
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077TC12
, 4G077TC19
, 4G077TK02
, 5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041CA02
, 5F041CA12
, 5F041CA22
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA55
, 5F041CA56
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA64
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA98
, 5F041FF16
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC08
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AE23
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045DA53
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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ダイヤモンド紫外線発光素子を用いた装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-210154
Applicant:東京瓦斯株式会社
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ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-244883
Applicant:工業技術院長, 科学技術振興事業団
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ダイヤモンド紫外線発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-195232
Applicant:東京瓦斯株式会社
-
特開平2-260470
-
特開平2-077176
-
IIb型ダイヤモンド単結晶の育成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-011117
Applicant:住友電気工業株式会社
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