磁気抵抗素子および多素子型磁気抵抗素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306783
Publication number (International publication number)：2002118306
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】多素子型の垂直電流型磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】多素子型磁気抵抗素子100は、特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子101を備える多素子型磁気抵抗素子であって、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子101は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流106に基づいて第1および第2磁界104を発生し、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界104が前記多素子型磁気抵抗素子100のバイアス磁界として作用するように配置される。

Claim (excerpt)：

垂直電流型磁気抵抗素子と、前記垂直電流型磁気抵抗素子に電流を流入する第1導体と、前記垂直電流型磁気抵抗素子から電流を流出する第2導体とを備え、前記第1導体は、前記電流に基づいて第1磁界を発生し、前記第2導体は、前記電流に基づいて第2磁界を発生し、前記第1および第2導体は、前記第1磁界と前記第2磁界とが前記垂直電流型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置される磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01F 10/32

FI (8)：

H01L 43/08 B , H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

F-Term (25)：

2G017AA01 , 2G017AC07 , 2G017AC09 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA06 , 5D034BA08 , 5D034BA16 , 5D034BA18 , 5D034BB02 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049GC01 , 5E049HC05 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA30 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-542685 Applicant：エム・ケイ・イー-クウォンタム・コンポーネンツ・コロラド・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
多層磁気抵抗型薄膜変換器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-044579 Applicant：リード-ライトコーポレーション
磁気センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-033108 Applicant：富士通株式会社

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