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J-GLOBAL ID：200903036101834336

半導体発光素子

Inventor： 寺口 信明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995098824
Publication number (International publication number)：1996293624
Application date： Apr. 24, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体層の成長温度差を低減し、結晶状態を良好にすると共に、バンドギャップを低減して青色または緑色の波長領域でバンド端発光が可能な半導体発光素子を提供する。【構成】 窒化物系化合物半導体発光素子において、AlGaInN活性層5またはAlGaInN障壁層4、6に、Sc、Ti、V、Cr、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちの1種類以上の元素が含まれている。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物からなる半導体層を有する半導体発光素子において、該半導体層が、Sc、Ti、V、Cr、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちの少なくとも1つを含むAlaGabIn1-a-bN(0≦a≦1,0≦b≦1,a+b≦1)からなる半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭63-184324
  
• III-V族合金半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-191985   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平2-229475
  
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-093429   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-328221   Applicant：株式会社ジャパンエナジー

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-184324