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J-GLOBAL ID：200903036117685950

薄膜ガスセンサ

Inventor： 小知和 眞一 ,  津田 孝一 ,  小野寺 克己 ,  鈴木 卓弥 ,  井上 文宏
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096274
Publication number (International publication number)：2000214119
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低消費電力化と間欠動作寿命の延長化を図る。【解決手段】 薄膜ガスセンサのヒーター層1に、熱膨張係数が10×10-6/°C以下で、比抵抗(抵抗率)が50μΩcm以上の材料(例えばFeNi系インバーや金属ホウ化物,高融点シリサイド,Ta等の一成分の窒化物,白金にW等の他の一成分を含む合金等)を用いることにより、掲記課題の解決を図る。

Claim (excerpt)：

Si基板の一側面中央部がダイアフラム様にくり抜かれた基板面上に、熱酸化SiO2 膜,CVD-SiO2 膜および窒化Si膜からなる支持膜を介して、薄膜ヒーターをスパッタ法または蒸着法によって形成した後、SiO2 膜または窒化Si膜の電気絶縁膜を介して感応膜電極をPt/TaまたはPt/Tiによって形成し、さらに、SnO2 を含む感応膜を形成したことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G08B 21/00

FI (3)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M ,  G08B 21/00 W

F-Term (29)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE07 ,  2G046BE08 ,  2G046DB04 ,  2G046DD03 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046EB06 ,  2G046FB02 ,  2G046FB06 ,  2G046FB07 ,  2G046FE12 ,  2G046FE14 ,  2G046FE16 ,  2G046FE25 ,  2G046FE31 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46 ,  2G046FE49

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048946   Applicant：富士電機株式会社
• 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220866   Applicant：エルジー電子株式会社
• 薄膜ガスセンサおよびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-353703   Applicant：株式会社リコー
• 特開平4-080647