半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002261896
Publication number (International publication number)：2004103737
Application date： Sep. 06, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供し、また、歩留りの高い半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1の一主面側に、形成された酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜6・7と、ゲート絶縁膜6・7に接触して形成されたゲート電極膜8・9とを備えた半導体装置において、ゲート絶縁膜6・7にアモルファス状態を安定化させる添加元素を含有させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板の一主面側に形成され酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜とを備え、前記ゲート絶縁膜が、タンタルを8at%以上25at%以下の濃度で含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (5)：

H01L29/78 301G , H01L21/283 C , H01L21/316 M , H01L29/58 G , H01L27/04 C

F-Term (85)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE11 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE20 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BJ11 , 5F140BJ27 , 5F140CA02 , 5F140CA06 , 5F140CB01 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社

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