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J-GLOBAL ID：200903069590505078

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
堀川 剛

About 堀川 剛


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001082614
Publication number (International publication number)：2002280461
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 各MISFETのしきい値電圧を独立に制御可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート絶縁膜14,34の第2絶縁膜142,342は比誘電率が8以上の高誘電率膜を含んで成り、第2絶縁膜142,342の少なくとも一方の高誘電率膜中に少なくとも1種類の不純物金属イオンがドーピングされている。不純物金属イオンの価数は高誘電率膜を成す金属イオンのそれとは1だけ異なる。かかるドーピングによって、第2絶縁膜142,342間で高誘電率膜中の荷電欠陥の密度と極性との少なくとも一方が違えられている。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1ゲート絶縁膜を含む第1MISFETと、前記半導体基板上に形成された第2ゲート絶縁膜を含む第2MISFETとを備え、前記第1ゲート絶縁膜は少なくとも一部に、第1金属イオンを含有し且つ8以上の比誘電率を有した第1誘電体膜を含み、前記第2ゲート絶縁膜は少なくとも一部に、第2金属イオンを含有し且つ8以上の比誘電率を有した第2誘電体膜を含み、前記第1誘電体膜に対する前記第1金属イオンとは価数が1だけ異なる少なくとも1種類の第1不純物金属イオンのドーピングと、前記第2誘電体膜に対する前記第2金属イオンとは価数が1だけ異なる少なくとも1種類の第2不純物金属イオンのドーピングと、の少なくとも一方のドーピングが施されており、前記少なくとも一方のドーピングに起因して、前記第1誘電体膜中と前記第2誘電体膜中とで荷電欠陥の密度と極性との少なくとも一方が異なる、半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (52)：
5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048DA23 ,  5F058BA20 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF31 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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