集積型ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001334087
Publication number (International publication number)：2003142697
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来、集積型ショットキーバリアダイオードの分離にはトレンチを設け、ポリイミド層を埋設しており、トレンチ形成のために距離のマージンを多くとる必要から、チップの小型化が進まない上、製造工程も複雑になる問題があった。【解決手段】イオン注入による絶縁化領域により、各ショットキーバリアダイオードを分離する。トレンチやポリイミドなどGaAs表面の大きな凹凸がなくなるので、マスクの合わせずれを考慮した距離のマージンを必要としないので、大幅なチップシュリンクが実現する。更に製造工程を簡素化できる利点を有する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上の1チップに複数個のショットキーバリアダイオードを有する集積型ショットキーバリアダイオードにおいて、前記各ショットキーバリアダイオードをイオン注入により形成された絶縁化領域で分離することを特徴とする集積型ショットキーバリアダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/872 , H01L 21/76

FI (3)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 H , H01L 21/76 R

F-Term (27)：

4M104AA05 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF26 , 4M104GG03 , 4M104GG13 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F032AA01 , 5F032AA28 , 5F032BB01 , 5F032CA06 , 5F032CA10 , 5F032CA15 , 5F032CA23 , 5F032DA01 , 5F032DA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開昭62-193279
半導体素子の絶縁分離加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-258311 Applicant：株式会社テラテック
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-031178 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

2.4 Gb/s GaAs 8x8 Time Multiplexed Switch Integrated Circuit

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