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J-GLOBAL ID：200903036313435660

III族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII族窒化物半導体装置

Inventor：
松井 俊之

About 松井 俊之


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998345244
Publication number (International publication number)：2000174393
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】Si基板上に貫通転位の少なく、割れのない厚さ1μm 以上の厚いエピタキシャル層を有するIII 窒化物半導体とIII 窒化物半導体装置その製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、または半導体基板上のAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第1の III族窒化物半導体層2b上に、マスク3mが局所的に形成されており、さらにAlx GayIn1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第2の III族窒化物半導層4が積層されてなる III族窒化物半導体において、前記マスクを酸化ケイ素または窒化ケイ素より表面エネルギーの低い材料を用いて形勢する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、または半導体基板上のAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第1の III族窒化物半導体層上に、マスクが局所的に形成されており、さらにAlx Gay In1-x-yN(但し、0≦x,y、かつ0≦x+y≦1)からなる第2の III族窒化物半導層が積層されてなる III族窒化物半導体において、前記マスクは酸化ケイ素または窒化ケイ素より表面エネルギーの低い材料からなることを特徴とする III族窒化物半導体。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
F-Term (15)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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