微細加工型の製造方法及び微細パターンを有する成形体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002083914
Publication number (International publication number)：2003285334
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】大掛かりな装置や大出力のレーザを必要とせず、微弱なレーザ光を用いて大気中で作製可能な微細加工型の製造方法及び微細パターンを有する成形体の製造方法を提供する。【解決手段】溶媒中あるいは保護高分子中に金属微粒子が独立分散した金属微粒子分散液、高分子マトリクス、及び溶媒からなる金属微粒子分散剤を基板上に展開して金属微粒子分散高分子膜を作製する工程、前記金属微粒子分散高分子膜にレーザ光を照射して微細パターンを形成したマスター型を作製する工程、前記マスター型上に液状シリコーンゴムの薄膜を形成して硬化させた後、脱型してシリコーンゴムの微細加工型を作製する工程からなることを特徴とする微細加工型の製造方法である。

Claim (excerpt)：

溶媒中あるいは保護高分子中に金属微粒子が独立分散した金属微粒子分散液、高分子マトリクス、及び溶媒からなる金属微粒子分散剤を基板上に展開して金属微粒子分散高分子膜を作製する工程、前記金属微粒子分散高分子膜にレーザ光を照射して微細パターンを形成したマスター型を作製する工程、前記マスター型上に液状シリコーンゴムの薄膜を形成して硬化させた後、脱型してシリコーンゴムの微細加工型を作製する工程からなることを特徴とする微細加工型の製造方法。

IPC (9)：

B29C 33/40 , B29C 39/02 , B29C 39/26 , B81C 5/00 , C08J 7/00 302 , C08J 7/00 CER , C08J 7/00 CEZ , C08K 3/08 , C08L101/00

FI (9)：

B29C 33/40 , B29C 39/02 , B29C 39/26 , B81C 5/00 , C08J 7/00 302 , C08J 7/00 CER , C08J 7/00 CEZ , C08K 3/08 , C08L101/00

F-Term (42)：

4F073AA06 , 4F073BA03 , 4F073BA18 , 4F073BA31 , 4F073BA33 , 4F073BB01 , 4F073CA51 , 4F202AA44 , 4F202AF01 , 4F202AJ05 , 4F202AR06 , 4F202CD02 , 4F202CD23 , 4F202CD30 , 4F204AA01 , 4F204AA21 , 4F204AA33 , 4F204AA40 , 4F204AA44 , 4F204AA45 , 4F204AF01 , 4F204AJ03 , 4F204AR06 , 4F204EA03 , 4F204EA04 , 4F204EB01 , 4F204EF01 , 4F204EF02 , 4F204EK17 , 4F204EK18 , 4F204EK24 , 4F204EK25 , 4J002AB021 , 4J002BG051 , 4J002BG061 , 4J002CM041 , 4J002CP031 , 4J002DA076 , 4J002DA116 , 4J002FA086 , 4J002GP03 , 4J002HA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-122615
複合半導体組成物とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062276 Applicant：三ツ星ベルト株式会社
薄膜製造方法および薄膜製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007419 Applicant：工業技術院長, 大日精化工業株式会社, 平賀隆, 守谷哲郎

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