半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997156256
Publication number (International publication number)：1999003936
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】溝埋設部材を高圧雰囲気を用いることによって低温で十分に緻密化し、又、シリコン窒化膜を溝側壁に形成することによって溝内壁の酸化を防止する等の手法を採り、これによって平坦加工後のくびれの発生を防止し、基板内のおける欠陥の発生を抑制し、同時に基板上における素子相互間の分離を有効に成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上の複数の半導体素子を分離する分離用の溝4,14を形成するための溝形成工程と、この溝形成工程で形成された溝4,14の壁面に熱酸化膜1A,11Aを形成する熱酸化膜形成工程と、基板1上に化学気層成長法によってシリコン酸化膜5,17を形成するシリコン酸化膜形成工程とを備え、前記基板1全体を高圧雰囲気中で熱処理するようにしたこと。

Claim (excerpt)：

基板上の複数の半導体素子を分離する分離溝を形成するための溝形成工程と、この溝形成工程で形成された溝の壁面に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、前記基板上に化学気層成長法によってシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程とを備え、前記基板全体を高圧雰囲気中で熱処理すること特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 21/316 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/76 L , H01L 21/316 S , H01L 21/316 X , H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭63-081943
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-062847 Applicant：株式会社リコー
特開平1-128527

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