窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177575
Publication number (International publication number)：1998022570
Application date： Jul. 08, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子の放熱性をよくして連続発振を目指す。【構成】同一面側に正電極と負電極とが形成されたレーザチップが、フェースアップの状態で、内面がメタライズされた凹部を有する支持体に挿入されていることにより、凹部内で熱を支持体の効率よく伝えることができるので素子の寿命が向上し、連続発振しやすくなる。

Claim (excerpt)：

同一面側に正電極と負電極とが形成されたレーザチップが、フェースアップの状態で、内面がメタライズされた凹部を有する支持体に挿入されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022671 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-044304 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-246876

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