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J-GLOBAL ID：200903036438752854

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
多田 仁史

About 多田 仁史

, 
永井 豊

About 永井 豊


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106524
Publication number (International publication number)：1997293928
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 組立時等にストレスの原因となる凹凸がない、平坦な表面の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板1上に下クラッド層2、活性層3、上クラッド層4、p-GaInP層5を順次結晶成長させた上に、レーザ端面に相当する部分を数10um程度エッチングにより除去したSiN膜を形成する。次に、拡散源となるZnO層7およびSiO2 膜8を成膜し、約600°Cの熱処理を行うことでレーザ端面となる部分に選択的に亜鉛を拡散させる。SiN膜6、ZnO膜7、SiO2 膜8を除去後、光導波路、電流ブロック層11、コンタクト層12を形成する。続いて亜鉛拡散領域に無効電流が流れるのを防ぐために、コンタクト層12のレーザ端面となる部分にプロトンを注入し、拡散領域上部のコンタクト層12を高抵抗化する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に活性層を含む半導体層を形成する工程、上記半導体層のレーザ端面となる部分に選択的に不純物を拡散させる工程、光導波路、電流ブロック層およびコンタクト層を形成する工程、上記コンタクト層のレーザ端面となる部分にプロトンを注入し高抵抗化する工程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/265
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/265 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 特開平4-287995
  • 端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-355499   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-260593   Applicant：三菱電機株式会社
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