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J-GLOBAL ID:200903036477495630
光電変換装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998281244
Publication number (International publication number):2000114534
Application date: Oct. 02, 1998
Publication date: Apr. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 感度低下を起こさずに容易に駆動速度を向上させることができ動画速度の向上が可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】 光電変換素子11とスイッチ薄膜トランジスタ12とを含んでなる画素が複数配列されている光電変換装置において、スイッチ薄膜トランジスタ12のゲート電極1021は第1の導電層により形成されており、ゲート電極1021に接続されたゲート配線1022は第1の導電層とは異なる第2の導電層により形成されている。ゲート電極1021とゲート配線1022とは、これらの間に介在する層間絶縁膜1031,1032に形成されたコンタクトホールにおいて互いに接続されている。ゲート電極1021を薄くし且つゲート配線1022を厚くすることができる。第1の導電層と第2の導電層とは互いに異なる材料を用いて形成することができる。
Claim (excerpt):
光電変換素子とスイッチ薄膜トランジスタとを含んでなる画素が複数配列されている光電変換装置において、前記スイッチ薄膜トランジスタのゲート電極は第1の導電層により形成されており、前記ゲート電極に接続されたゲート配線は前記第1の導電層とは異なる第2の導電層により形成されていることを特徴とする光電変換装置。
FI (2):
H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 613 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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密着型イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-150183
Applicant:日本電気株式会社
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光検出装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-294949
Applicant:キヤノン株式会社
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回路の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-262152
Applicant:ゼロックスコーポレイション
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アクテイブマトリクス基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-236645
Applicant:シヤープ株式会社
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特開平2-157729
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特開平2-157729
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