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J-GLOBAL ID：200903036490650245
半導体発光素子層の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159296
Publication number (International publication number)：1996008186
Application date： Jun. 18, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 簡単な構成でフッ素による半導体膜の特性劣化を来すことなく、効率良く窒化ガリウム系薄膜を形成可能な半導体素子層形成方法を提供する。【構成】 真空中で基板7上に窒化ガリウム系薄膜を形成する方法において、窒素源として三塩化窒素または三フッ化窒素と水素原子を含むガスとを用いる。
Claim (excerpt)：
真空中で基板上に窒化ガリウム系薄膜を形成する方法において、窒素源として三塩化窒素を用いることを特徴とする窒化ガリウム系薄膜からなる半導体発光素子層の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/203
, C01B 21/06
, H01L 21/205
, H01L 33/00
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