半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996213804
Publication number (International publication number)：1998064846
Application date： Aug. 13, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】薄膜化したバリア層であっても元素の拡散を防止することができて、半導体装置のより一層の高集積化に対応できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上にTi、W、Ta、Hf、Ni、V及びCr等の高融点金属又は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドからなる高融点金属層4を形成する。次に、例えばSi2 H6 を含む雰囲気中で500°Cの温度に10分間保持する。これにより、高融点金属層4の結晶の隙間にSiが充填され、組織が密のバリア層5が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に高融点金属又は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドからなる高融点金属層を形成する工程と、周期表の第III 族、第IV族及び第V族の元素のうちから選択されたいずれか1種の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で前記高融点金属層をアニールする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/58 , H01L 21/285 , H01L 21/324 , H01L 21/768 , H01L 21/203

FI (6)：

H01L 21/28 301 T , C23C 14/58 A , H01L 21/285 S , H01L 21/324 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-077246 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309549 Applicant：三星電子株式会社
不純物低温拡散方法及び不純物低温拡散装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-004528 Applicant：石川豊, 株式会社豊振科学産業所

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