微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006378
Publication number (International publication number)：1997199426
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】この発明は、200オングストローム以下の薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】真空チャンバ1内にて、対向配置された電極間2、3にグロー放電を生起させ、シリコンを主成分とする材料ガスを分解して、基板4上に微結晶シリコン系半導体薄膜を堆積させる際に、両電極間2、3に印加する高周波電力8をパルス的にオン・オフすると共に、基板4にピエゾ振動板9により超音波振動を加える。

Claim (excerpt)：

シリコンを主成分とする材料ガスに高周波電力を印加し、この材料ガスを分解して基板上に微結晶シリコン系半導体膜を堆積させる際に、前記高周波電力をパルス的にオン・オフすると共に、基板に超音波振動を加えることを特徴とする微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 21/285 , H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 21/285 C , H01L 31/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-267030 Applicant：東レ株式会社
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019196 Applicant：日新電機株式会社
被膜形成方法および被膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-248483 Applicant：鯉沼秀臣, 株式会社半導体エネルギー研究所

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