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J-GLOBAL ID：200903036561748578

犠牲誘電体層を用いて銅相互接続を形成する方法

Inventor：
パーク,スティーブン・キータイ

About パーク,スティーブン・キータイ


Applicant, Patent owner：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

About アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001555134
Publication number (International publication number)：2003521124
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Jul. 08, 2003
Summary：
【要約】銅相互接続(1645)を形成するための方法を提供する。この方法は、構造層(1100)上に犠牲誘電体層(1120、1130)を形成するステップと、犠牲誘電体層(1120、1130)内に開口(1220、1230)を形成するステップと、犠牲誘電体層(1120、1130)上および開口(1220、1230)内に、銅の層(1440)を形成するステップとを含む。この方法は、犠牲誘電体層(1130)上の銅の層(1440)の一部を除去することにより、銅相互接続(1645)を形成するステップをさらに含み、銅相互接続(1645)は開口(1220、1230)内に残る。この方法は、構造層(1100)上の、銅相互接続(1645)に隣接する、犠牲誘電体層(1120、1130)を除去するステップと、構造層(1100)上および銅相互接続(1645)に隣接して、低誘電率誘電体層(1810)を形成するステップとをさらに含む。
Claim (excerpt)：
銅相互接続(645)を形成する方法であって、 構造層(100)上に犠牲誘電体層(120、130)を形成するステップと、 前記犠牲誘電体層(130)内に開口(220)を形成するステップと、 前記犠牲誘電体層(130)上および前記開口(220)内に、銅の層(440)を形成するステップと、 前記犠牲誘電体層(130)上の前記銅の層(440)の一部を除去することにより、前記銅相互接続(645)を形成するステップとを含み、前記銅相互接続(645)は前記開口(220)内に残り、前記方法はさらに、 前記構造層(100)上の、前記銅相互接続(645)に隣接する、前記犠牲誘電体層(120、130)を除去するステップと、 前記構造層(100)上および前記銅相互接続(645)に隣接して、低誘電率誘電体層(810)を形成するステップとを含む、方法。
F-Term (27)：
5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033SS08 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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