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J-GLOBAL ID：200903036587317982

回路板の製造方法

Inventor：
丸山 睦弘

About 丸山 睦弘

, 
柏木 利典

About 柏木 利典


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005039182
Publication number (International publication number)：2006228879
Application date： Feb. 16, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】導電性が高く、かつ基板との密着性の高い金属配線を有する回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板上に非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って前記前駆体の一部を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させて、非熱可塑性ポリイミド系樹脂と非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体とからなる層を絶縁基板上に形成させる工程(1)と、前記の層の上に、一次粒子径が200nm以下で、加熱することによって互いに融着する金属配線形成前駆体微粒子を含有する分散体を回路形状に付与し、加熱処理することによって、残りの前記前駆体を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させると共に、前記非熱可塑性ポリイミド系樹脂からなる層の上に金属配線による回路を形成させる工程(2)とを含むことを特徴とする回路板の製造方法。【選択図】選択図なし。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って前記前駆体の一部を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させて、非熱可塑性ポリイミド系樹脂と非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体とからなる層を絶縁基板上に形成させる工程(1)と、前記の層の上に、一次粒子径が200nm以下で、加熱することによって互いに融着する金属配線形成前駆体微粒子を含有する分散体を回路形状に付与し、加熱処理することによって、残りの前記前駆体を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させると共に、前記非熱可塑性ポリイミド系樹脂からなる層の上に金属配線による回路を形成させる工程(2)とを含むことを特徴とする回路板の製造方法。
IPC (2)：
H05K 3/10 ,  H05K 1/09
FI (2)：
H05K3/10 D ,  H05K1/09 A
F-Term (32)：
4E351AA04 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351CC08 ,  4E351CC22 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD31 ,  4E351DD39 ,  4E351DD52 ,  4E351EE11 ,  4E351EE25 ,  4E351GG09 ,  4E351GG20 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB48 ,  5E343BB59 ,  5E343BB72 ,  5E343BB75 ,  5E343CC04 ,  5E343DD12 ,  5E343ER35 ,  5E343FF05 ,  5E343GG02 ,  5E343GG11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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