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J-GLOBAL ID:200903036669889097
窒化アルミニウム焼結体及びそのメタライズ基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 正緒
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998256221
Publication number (International publication number):1999278941
Application date: Sep. 10, 1998
Publication date: Oct. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】 焼結前の脱脂体にひび割れが発生せず、低温焼結が可能であって、色ムラがなく、強度や熱伝導率のばらつきを抑えたAlN焼結体、及びこれを用いた電子部品用のメタライズ基板を提供する。【解決手段】 AlN焼結体は、3元系助剤としてCa化合物、Yb化合物及びNd化合物を含有し、更に周期律表の第8族に属する元素の化合物、ケイ素又はケイ素化合物を含むことができる。このAlN焼結体の表面に、WやMoの高融点金属化層、Zn及びCuの各酸化物を含むAg金属化層、又はB、Pb、Cr及びCaの各酸化物を含むAg-Pd金属化層を形成し、更には絶縁性ガラス層を設けてメタライズ基板とする。
Claim (excerpt):
窒化アルミニウムを主体とし、カルシウム化合物、イッテルビウム化合物、及びネオジウム化合物を含有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平2-279568
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窒化アルミニウム焼結体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-113457
Applicant:松下電工株式会社, ザダウケミカルカンパニー
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特開昭61-117160
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特開平2-212386
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スルーホール充填用導体ペースト及びセラミック回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-095605
Applicant:ニッコー株式会社
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セラミック回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-049723
Applicant:株式会社住友金属セラミックス
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半導体被覆用ガラス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-174348
Applicant:日本電気硝子株式会社
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