スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998037478
Publication number (International publication number)：1999229132
Application date： Feb. 19, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】スパッタ時のウェハ膜中での膜の組成の変化を防止する。【解決手段】チャンバ2内に設けられたターゲット6と、チャンバ2内にターゲット6と対向して設けられ、ターゲット6からスパッタされたスパッタ粒子が堆積するウェハ4を載置するサセプタ21と、スパッタ粒子がチャンバ2内壁に到達するのを防止すべく設けられ、ターゲット6と対向する領域では、ターゲット6から見てウェハ4間での距離よりも遠くなるように配置されたシールド8,9a,9bからなり、シールド8,9a,9bの表面の法線は、ウェハ4周縁部を向かないように形成される。

Claim (excerpt)：

真空容器内に設けられ、ターゲットが配置されるターゲット電極と、前記真空容器内に前記ターゲット電極と対向して設けられ、前記ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が堆積するウェハを載置するサセプタと、前記スパッタ粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防止すべく設けられ、前記ターゲットと対向する領域では、前記ターゲットから見て前記ウェハまでの距離よりも遠くなるように配置されたシールドとを具備してなることを特徴とするスパッタ成膜装置。

IPC (6)：

C23C 14/34 , C23C 14/00 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (6)：

C23C 14/34 C , C23C 14/00 B , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/31 D , H01L 21/316 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

スパッタ方法およびスパッタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-105250 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
スパッタリング装置及びスパッタリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327230 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048475 Applicant：富士通株式会社

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