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J-GLOBAL ID:200903036828132857

誘導結合型プラズマの制御方法及び誘導結合型プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 前田 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002172966
Publication number (International publication number):2003272895
Application date: Jun. 13, 2002
Publication date: Sep. 26, 2003
Summary:
【要約】【課題】 真空チャンバー内に発生するプラズマの密度を正確に制御できるようにする。【解決手段】 誘導結合型プラズマ処理装置は、周壁に石英製遮蔽板11を有する真空チャンバー10と、石英製遮蔽板11の外側に設けられた誘導コイル16と、誘導コイル16に高周波電力を供給する第1の高周波電力源と、該第1の高周波電源と誘導コイル16との間に設けられた第1の整合器とを備えている。真空チャンバー10内に金属体22を配置した状態で、誘導コイル16及び石英製遮蔽板11により形成される高周波インピーダンス値を求める。求められる高周波インピーダンスの値が所定値に近づくように、誘導コイル16の形状又は石英製遮蔽板11の形状を変化させる。
Claim (excerpt):
周壁に誘電体を有する真空チャンバーと、前記誘電体の外側に設けられた誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電力源と、前記高周波電源と前記誘導コイルとの間に設けられた整合器とを備えた誘導結合型プラズマ処理装置の前記真空チャンバー内に発生するプラズマを制御する方法であって、前記真空チャンバー内に導電体を配置した状態で、前記誘導コイルからみた高周波インピーダンス値を求める工程と、前記高周波インピーダンスの値が所定値に近づくように、前記誘導コイルの形状又は前記誘電体の形状を変化させる工程とを備えていることを特徴とする誘導結合型プラズマの制御方法。
IPC (4):
H05H 1/46 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4):
H05H 1/46 L ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 101 C
F-Term (17):
4K030FA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F045GB12

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