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J-GLOBAL ID：200903036842668247

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： 藤平 景子 ,  三浦 成久 ,  大塚 健一 ,  今泉 昌之 ,  高見 哲也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004340912
Publication number (International publication number)：2006156478
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】 炭化珪素絶縁ゲート型トランジスタのチャネル移動度を向上させる。【解決手段】 炭化珪素半導体装置の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜を気相成長法を用いて成膜し、このゲート絶縁膜成膜の前後において酸化窒素系ガス雰囲気中で窒化処理を行なう。【選択図】 図9

Claim (excerpt)：

酸化窒素系ガス雰囲気中で炭化珪素基体表面を窒化処理するステップと、 前記窒化処理された炭化珪素基体表面に気相成長法により絶縁膜を形成するステップと、 前記絶縁膜を酸化窒素系ガス雰囲気中で窒化処理するステップとを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12

FI (3)：

H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-533356   Applicant：クリーインコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-114846   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層の処理方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-536050   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• 半導体デバイスの製造方法、MOSデバイス、半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-086826   Applicant：三洋電機株式会社