N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002533356
Publication number (International publication number)：2004511101
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

N2O環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、またはN2O環境中で炭化ケイ素層上の酸化物層をアニーリングすること、の少なくとも一方により酸化物層を形成することによる炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法を提供する。好ましくは、N2Oの所定の温度プロファイルおよび所定の流量プロファイルが、酸化またはアニールの間に与えられている。所定の温度プロファイルおよび/または所定の流量プロファイルは、一定でも可変でもよいし、定常状態条件へのランプを含んでいてもよい。所定の温度プロファイルおよび/または所定の流量プロファイルは、SiCの伝導帯付近のエネルギーを有する酸化物/炭化ケイ素界面の界面準位を低減するように選ばれる。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素層と当該炭化ケイ素層上の酸化物層とを備えている炭化ケイ素構造の製造方法であって、約1100°Cよりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルと、少なくとも約11秒のN2Oの初期滞留時間をもたらす流量プロファイルと、を用いて、N2Oを含む環境中で既存の酸化物層をアニールすること、または、少なくとも約1200°Cの酸化温度を含む所定の温度プロファイルを用いて、N2O環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、の少なくとも一方により特徴づけられる方法。

IPC (2)：

H01L21/316 , H01L29/78

FI (4)：

H01L21/316 P , H01L21/316 S , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G

F-Term (22)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF56 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-518224 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
半導体デバイスの製造方法、MOSデバイス、半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-086826 Applicant：三洋電機株式会社
化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-099224 Applicant：三洋電機株式会社

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