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J-GLOBAL ID：200903036979232403

エピタキシャル層を1つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法

Inventor：
ヨング・チェン

About ヨング・チェン

, 
シー・ユアン・ワング

About シー・ユアン・ワング


Applicant, Patent owner：
アジレント・テクノロジーズ・インク

About アジレント・テクノロジーズ・インク


Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000168653
Publication number (International publication number)：2001053056
Application date： Jun. 06, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高品質光学素子の製造に好適な安定した均一なエピタキシャル層を得ることができるような方法を提供する。【解決手段】 第1のエピタキシャル層12を第1の基板11上に成長させるステップと、第1のエピタキシャル層12の表面上の一部にマスク14を設けるステップと、第2のエピタキシャル層17,37を第1のエピタキシャル層12の上に形成するステップと、第2のエピタキシャル層17,37にトレンチ20を形成してマスク14を露出させるステップと、第2の基板18を第2のエピタキシャル層17,37にボンディングするステップと、トレンチ20にエッチング剤を注入し、マスク14をエッチングして第2のエピタキシャル層17,37を第1のエピタキシャル層12から分離するステップとをそれぞれ有する。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル層を1つの基板から分離し、この分離したエピタキシャル層を他の基板に移し替えるための方法であって、(a) 第1のエピタキシャル層を第1の基板上に成長させるステップと、(b) 前記第1のエピタキシャル層の表面上の一部にマスクを設けるステップと、(c) 第2のエピタキシャル層を前記第1のエピタキシャル層の上に形成するステップと、(d) 前記第2のエピタキシャル層にトレンチを形成して前記マスクを露出させるステップと、(e) 第2の基板を前記第2のエピタキシャル層にボンディングするステップと、(f) 前記トレンチにエッチング剤を注入し、前記マスクをエッチングして前記第2のエピタキシャル層を前記第1のエピタキシャル層から分離するステップと、をそれぞれ含むことを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01S 5/183
FI (3)：
H01L 21/306 B ,  H01S 5/183 ,  H01L 21/306 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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