半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041757
Publication number (International publication number)：1995231091
Application date： Feb. 17, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】シリサイド膜形成後の高温の熱処理を不要ならしめ、シリサイドの凝集による部分的断線を防止する。ゲート電極間のような狭い間隙間の拡散層上にも低抵抗のシリサイド膜を形成しうるようにする。【構成】 p型シリコン基板101上にフィールド酸化膜102、ゲート酸化膜103、ポリシリコン膜104を形成する。n- 型拡散層105を形成した後、側壁酸化膜106、n+ 型拡散層107を形成する[(a)図]。Siをイオン注入してポリシリコン膜104およびn+ 型拡散層107の表面にアモルファスシリコン層108を形成する[(b)]。ECRプラズマCVD法によりチタンを堆積してシリコン表面にチタンシリコン膜110を、酸化膜上にチタン膜109を形成する[(c)図]。チタン膜109を除去する[(d)図]。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に選択酸化法により素子分離領域を形成する工程と、多結晶シリコン膜を形成しこれをパターニングして前記半導体基板上に電極配線を形成する工程と、前記半導体基板の表面に第2導電型の不純物を導入して第2導電型の拡散層を形成する工程と、CVD法により半導体基板上に高融点金属を堆積し、同時に露出しているシリコンと堆積高融点金属とを反応させて前記電極配線および前記拡散層上に高融点金属シリサイドを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭63-005567
特開昭61-214542
特開平1-143359

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