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J-GLOBAL ID：200903037121144260

化合物半導体ヘテロ接合構造体

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272840
Publication number (International publication number)：2002083816
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】結晶性に優れ、且つ水素原子の含有量が少なく、デバイス特性の変動を抑制できる炭素添加p形GaAs系結晶層を有する化合物半導体ヘテロ接合構造体を提供する。【解決手段】炭素含有p形GaAs系結晶層と、n形のIII-V族化合物半導体結晶層とからなるヘテロ接合構造において、炭素含有p形GaAs系結晶層が、20Kでのフォトルミネッセンス測定において、828nm〜845nmの範囲内に主たる発光ピークを有し、且つ、該結晶層中の水素原子濃度を炭素原子濃度の1/5以下とする。また、n形III-V族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、GaXIn1-XP(0≦X≦1)でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Xを減少させる領域を含む構造とする。
Claim (excerpt)：
炭素原子を含有するp形の砒化ガリウム系結晶層(以後、炭素含有p形GaAs系結晶層とする。)と、n形のIII-V族化合物半導体結晶層とからなるヘテロ(異種)接合構造を含む化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有p形GaAs系結晶層が、温度20ケルビン(K)におけるフォトルミネッセンスの測定で、828nm〜845nmの範囲内に主たる発光ピークを有し、且つ、該結晶層中の水素原子濃度が炭素原子濃度の1/5以下であることを特徴とする化合物半導体ヘテロ接合構造体。
IPC (5)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  C23C 16/30
FI (4)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/72
F-Term (23)：
4K030AA17 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030LA14 ,  5F003AZ01 ,  5F003AZ07 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP31 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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