窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035927
Publication number (International publication number)：1997289358
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 GaAlInN系化合物半導体レーサ素子は、エッチングの面内均一性が悪いため、エッチングのばらつきによる電子注入不良や活性層の品質劣化の問題が有り、屈折率分布をもつ光導波路構造をもつ、高効率、且つ作成歩留まりの高い窒化ガリウム系半導体レーザ素子の作製をすることは困難であった。【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、だいお導電型上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状の形成の手段として、選択成長法を用いた場合には、リッジストライプ外側の上部クラッド層の膜厚制御性に優れており、化合物半導体レーザ素子の特性のばらつきが改善される。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1の導電型下部クラッド層、活性層、第2の導電型上部クラッド層をこの順に積層したGa<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0≦y<1、X+Y≦1)からなる化合物半導体レーザ素子において、前記第2の導電型上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147704 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149960 Applicant：日亜化学工業株式会社, 株式会社プラズマシステム
半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004719 Applicant：旭化成工業株式会社

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