窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000074762
Publication number (International publication number)：2001267692
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥が低減されかつ歩留りで製造可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体レーザ素子500においては、サファイア基板1上にAlGaNバッファ層2、アンドープGaN層3が形成され、さらにアンドープGaN層3上にストライプ状の酸化膜マスク50が形成されている。酸化膜マスク50上およびアンドープGaN層3上において、アンドープGaN層4が選択横方向成長する。さらに、アンドープGaN層4上にMgドープGaN層5が形成され、結晶成長表面が平坦化される。このMgドープGaN層5上に半導体レーザ素子構造100が形成されている。

Claim (excerpt)：

表面に凹凸パターンを有する下地と、前記下地上に形成されかつマグネシウムを含む第1のIII 族窒化物系半導体層と、前記第1のIII 族窒化物系半導体層上に形成されかつ素子領域を含む第2のIII 族窒化物系半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4)：

H01S 5/343 , C30B 29/40 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/343 , C30B 29/40 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF04 , 4G077HA02 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CB11 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F073AA13 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-164169 Applicant：パイオニア株式会社
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-025003 Applicant：株式会社東芝

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