窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164169
Publication number (International publication number)：2000353821
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体素子の特性を左右する貫通転位を低減せしめ、サファイア基板に積層されるGaN層に生じるピットを抑制する。【解決手段】 MOCVDにより、低温バッファ層2が形成されたサファイア基板1に所定膜厚のアンドープのGaN層3を成長させる。次に、その上に、マグネシウムをドーパントとして含むGaN層4をGaN層3よりも低圧で積層させ、GaN層4によって、GaN層3に生じたピットを埋めてGaN層4の表面を平坦にする。

Claim (excerpt)：

有機金属化学気相成長法によって、III族窒化物半導体(InxGa(1-x-y)AlyN(0≦x≦1, 0≦y≦1)を平坦なサファイア基板面上に順次積層して得られる窒化物半導体素子の製造方法であって、サファイア基板上に低温バッファ層を形成する工程と、ドーパント成分を含まない第1の混合ガスを供給して前記低温バッファ層の上に第1の窒化ガリウム層を形成する第1の成膜工程と、ドーパント成分を含む第2の混合ガスを供給して前記第1の窒化ガリウム層の表面にある空隙を埋めて平坦化しつつ前記第1の窒化ガリウム層の上にドーパントを含む第2の窒化ガリウム層を形成する第2の成膜工程と、を含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

F-Term (14)：

5F041AA41 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA47 , 5F041CA65 , 5F041CB01 , 5F073CA02 , 5F073CA17 , 5F073CB03 , 5F073CB06 , 5F073CB12 , 5F073DA05 , 5F073DA11 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化物半導体基板及びそれを用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080286 Applicant：日亜化学工業株式会社
III 族窒化物半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055590 Applicant：富士電機株式会社
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058798 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (1)

窒化物半導体基板及びそれを用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080286 Applicant：日亜化学工業株式会社

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