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J-GLOBAL ID：200903052965664632

窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置

Inventor：
板谷 和彦

About 板谷 和彦

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西尾 譲司

About 西尾 譲司

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藤本 英俊

About 藤本 英俊

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鈴木 真理子

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杉浦 理砂

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Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025003
Publication number (International publication number)：1997293935
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 Al導入に伴う格子不整問題を回避し、GaAlNの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、AlGaN層のAl組成を高くする。【解決手段】 基板と、基板に近接して設けられ、マグネシウム濃度N<SB>bg1 </SB>cm<SP>-3</SP>の窒化ガリウムを主成分とした厚みd<SB>1 </SB>μmの単結晶層と、基板とで前記単結晶層を挟む位置に設けられ、濃度N<SB>Mg</SB>cm<SP>-3</SP>のマグネシウムが添加されるともに、Al組成xが0.02以上1以下となる厚みd<SB>2 </SB>μmのGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nを主成分とする半導体層とを備え、Al組成x、濃度N<SB>Mg</SB>、濃度N<SB>bg1 </SB>、厚みd<SB>1 </SB>及び厚みd<SB>2 </SB>との間に次の関係を有する窒化ガリウム系半導体素子である。d<SB>1 </SB>/(1600×x)<d<SB>2 </SB><3.6 ×10<SP>-3</SP>× logN/(x+0.02)+0.02,ここで、Ncm<SP>-3</SP>は、N<SB>Mg</SB>>N<SB>bg1 </SB>の場合、N=N<SB>Mg</SB>-N<SB>bg1 </SB>、N<SB>Mg</SB>≦N<SB>bg1 </SB>の場合、Nは無添加のGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nにおけるマグネシウムのバックグラウンドレベル。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板に近接して設けられ、マグネシウム濃度N<SB>bg1 </SB>cm<SP>-3</SP>の窒化ガリウムを主成分とした厚みd<SB>1 </SB>μmの単結晶層と、前記基板とで前記単結晶層を挟む位置に設けられ、濃度N<SB>Mg</SB>cm<SP>-3</SP>のマグネシウムが添加されるともに、Al組成xが0.02以上1以下となる厚みd<SB>2 </SB>μmのGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nを主成分とする半導体層とを備え、前記Al組成x、前記濃度N<SB>Mg</SB>、前記濃度N<SB>bg1 </SB>、厚みd<SB>1 </SB>及び厚みd<SB>2 </SB>との間に以下の関係を有する窒化ガリウム系半導体素子。d<SB>1 </SB>/(1600×x)<d<SB>2 </SB><3.6 ×10<SP>-3</SP>× logN/(x+0.02)+0.02ここで、Ncm<SP>-3</SP>は、N<SB>Mg</SB>>N<SB>bg1 </SB>の場合、N=N<SB>Mg</SB>-N<SB>bg1 </SB>、N<SB>Mg</SB>≦N<SB>bg1 </SB>の場合、Nは無添加のGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nにおけるマグネシウムのバックグラウンドレベルである。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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