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J-GLOBAL ID：200903037145073991

磁気記憶装置および磁性体基板

Inventor：
國清 辰也

About 國清 辰也

, 
永久 克己

About 永久 克己

, 
前田 茂伸

About 前田 茂伸


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001029426
Publication number (International publication number)：2002231904
Application date： Feb. 06, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 書き込み時の消費電力を低減したMRAMを提供するとともに、消去および書き込みに費やす時間を低減したMRAMを提供する。【解決手段】 互いに平行に配設された複数のワード線WL1の上部において交差するように、互いに平行に配設された複数のビット線BL1が配設されている。そして、ワード線およびビット線で挟まれる各交点にMRAMセルMC2が形成されている。そして、矢印で示すイージーアクシスが、ビット線およびワード線に対して45度傾くように各MRAMセルMC3が配設されている。
Claim (excerpt)：
非接触で交差して、マトリックスを構成する複数のビット線および複数のワード線と、前記複数のビット線と前記複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、少なくとも1つの磁気トンネル接合を含む複数のメモリセルとを備えた磁気記憶装置であって、前記複数のメモリセルは、前記複数のビット線のうちの1本および前記複数のワード線のうちの1本の間にそれぞれ配設され、前記少なくとも1つの磁気トンネル接合は、磁化の方向が変更可能なソフト強磁性体層を有し、前記少なくとも1つの磁気トンネル接合は、前記ソフト強磁性体層の磁化の容易な方向であるイージーアクシスが、前記複数のビット線および前記複数のワード線の延在方向に対して40〜50度の角度を有するように配設される、磁気記憶装置。
IPC (6)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08
FI (6)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (11)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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