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J-GLOBAL ID：200903037186831426

超電導素子

Inventor： 樽谷 良信 ,  塚本 晃 ,  赤松 正一 ,  深沢 徳海 ,  高木 一正
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098363
Publication number (International publication number)：1995307498
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高温動作できる酸化物系の超電導材料を用いてかつ、加工可能な寸法を有し、さらには実用的に動作させることが可能な電流容量を有する酸化物系のマイクロブリッジ形素子の構造を与えることにある。【構成】 基板上にマイクロブリッジ構造をなす少なくとも1対の超電導電極を有し、上記超電導電極は、超電導膜と動作温度において常伝導膜とのそれぞれ2膜以上からなる積層膜によって構成される。【効果】 本素子構造を採用することにより、電子線描画法等のパターン形成加工技術を用いることによって形成可能な素子寸法となり、かつ素子動作が可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上にマイクロブリッジ構造をなす少なくとも1対の超電導電極を有し、上記超電導電極は、超電導膜と動作温度において常伝導状態である常伝導膜とのそれぞれ2膜以上からなる積層膜によって構成されることを特徴とする超電導素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ジョセフソン素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-170508   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭64-028875
  
• 特開平1-161785
  
• 酸化物超伝導装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176023   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所