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J-GLOBAL ID：200903037211652230

電界発光素子

Inventor：
植田 秀昭

About 植田 秀昭

, 
北洞 健

About 北洞 健


Applicant, Patent owner：
ミノルタ株式会社

About ミノルタ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997119169
Publication number (International publication number)：1998308280
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高輝度で高効率な発光を呈する耐久性に優れた電界発光素子を提供すること。【解決手段】 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄層を備えた電界発光素子において少なくとも一層が下記一般式(I)で示される高分子アミノ化合物を含有することを特徴とする電界発光素子;【化1】(式中、Ar1およびAr3は、それぞれ独立して、置換基を有してもよいアリーレン基を表わし、Ar1およびAr3はそれぞれ結合基を介して結合していてもよい;Ar2およびAr4は、それぞれ独立して、置換基を有してもよいアリール基または複素環基を表わす;lは0〜2の整数を表す;mは0〜2の整数を表すl、mが同時に0となる場合を除く;nは自然数を表す)。
Claim (excerpt)：
一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄層を備えた電界発光素子において少なくとも一層が下記一般式(I)で示される高分子アミノ化合物を含有することを特徴とする電界発光素子;【化1】(式中、Ar1およびAr3は、それぞれ独立して、置換基を有してもよいアリーレン基を表わし、Ar1およびAr3はそれぞれ結合基を介して結合していてもよい;Ar2およびAr4は、それぞれ独立して、置換基を有してもよいアリール基または複素環基を表わす;lは0〜2の整数を表すl、mが同時に0となる場合を除く;mは0〜2の整数を表す;nは自然数を表す)。
IPC (5)：
H05B 33/14 ,  C08G 73/02 ,  H05B 33/22 ,  C08L 79/00 ,  C09K 11/06
FI (5)：
H05B 33/14 ,  C08G 73/02 ,  H05B 33/22 ,  C08L 79/00 A ,  C09K 11/06 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (9)
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