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J-GLOBAL ID：200903037239339154

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996352962
Publication number (International publication number)：1997223804
Application date： Dec. 13, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 層間絶縁膜からの水分や不純物の進入を防止し、さらに薄膜トランジスタと画素電極や配線との間に形成される容量の低減する。【解決手段】 層間絶縁膜116として低い比誘電率を有する樹脂材料を用いる。またその下面は、酸化珪素膜115が全面に接するようにする。このようにすることで、表面を平坦にでき、さらに薄膜トランジスタと画素電極との間に形成される容量を低減できるという効果が得られる。さらに、樹脂材料の下面に不純物イオンや水分が侵入し、半導体装置全体の信頼性を低下させるという問題を回避することができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の上方に配置された樹脂材料でなる層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜が形成される下地の全面は、酸化珪素膜または窒化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 613 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平4-242724
  
• 半導体装置作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319167   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-196845   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-087341
  
• アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189825   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-142019   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-197514   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-234134