エッジ終端構造を持つ高電圧縦型トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154391
Publication number (International publication number)：2006216927
Application date： May. 26, 2005
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：

【課題】かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。【解決手段】高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。フィールドプレート部材は、ドリフト領域を横方向に取り囲み、誘電体層によって前記ドリフト領域から絶縁される。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

第一の導電型のドレイン、前記第一の導電型のソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって縦方向に延びる、前記第一の導電型の複数のドリフト領域を備え、前記ドリフト領域のうちの隣り合う領域は、誘電体層によって第一の横方向に分離され、前記ドリフト領域の各々は、指先領域で、第二の横方向に終端し、さらに、前記第一及び第二の横方向に前記ドリフト領域の各々を取り囲む前記誘電体層内に配置されたフィールドプレート部材、を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652H , H01L29/78 652R , H01L29/78 653C , H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

多層拡張ドレイン構造を有する高電圧縦型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-258266 Applicant：パワーインテグレイションズインコーポレイテッド
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-094785 Applicant：サンケン電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-401700 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page