半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004068488
Publication number (International publication number)：2004319974
Application date： Mar. 11, 2004
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】外来の電荷の影響を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。また、簡便、低コスト、小型、低オン抵抗及び高耐圧の半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板に形成する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の外側の側面に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板に形成する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の外側の側面に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (9)：

H01L29/78 652N , H01L29/78 652H , H01L29/78 652R , H01L29/78 652S , H01L29/78 652T , H01L29/78 655F , H01L29/78 658E , H01L29/78 658F , H01L29/78 658G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

超接合半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-209267 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-357970 Applicant：富士電機株式会社
縦型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-050748 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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Cited by examiner (1)

半導体層と該半導体層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-205204 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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